高鼎三，上海人。半導體物理學家，我國半導體科學事業開創者之一，1941年畢業于西南聯大物理系，1947年赴美國加利福尼亞大學攻讀研究生，1953年任美國國際整流器公司研究員，1955年回國來吉林大學物理系任教。1959年領導創建了當時國內唯一的半導體系，擔任系主任工作。1977年晉升為教授。曾任吉林大學物理系副主任、電子工程系（原半導體系）系主任、電子工程系名譽系主任、集成光電子學國家重點聯合實驗室學術委員會主任、集成光電子學國家重點聯合實驗室學術委員會主任。
在國內首先研制成鍺大功率整流器，而后又研制成鍺點接觸二極、鍺三極管及鍺光電二極管；較早地開展了熱敏電阻、隧道二極管的研究。60年代又開展GaAs激光器、大功率晶閘管的研制工作，使同質結激光器實現激射；1976年主持研制的“室溫連續工作的Zn擴散GaAs平面條形雙異質結激光器”獲得成功。近10年來，在半導體激光器及器件結構制備領域，電力電子半導體器件領域、半導體激光器失效機理及可靠性和測量技術領域、快速光電子學領域，多次承擔重要研究課題，并取得很大成績。代表性論著有學術論文100余篇，以及受教育部委托篇寫的《晶體管原理》一書。
1995年當選為中國工程院院士。
2002年6月病逝。
